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KSC5019	文件：38.39 Kbytes Page：4 Pages	NPN Epitaxial Silicon Transistor Low Saturation • VCE(sat)=0.5V at IC=2A, IB=50mA 文件：38.39 Kbytes 页数：4 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
KSC5019	文件：323.55 Kbytes Page：7 Pages	NPN Epitaxial Silicon Transistor Features • Low Saturation • VCE(sat) = 0.5 V at IC = 2 A, IB = 50 mA 文件：323.55 Kbytes 页数：7 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
KSC5019	文件：572.91 Kbytes Page：3 Pages	TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (NPN) FEATURES ● Low VCE(sat) ● General Purpose Amplifier Transistor 文件：572.91 Kbytes 页数：3 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
KSC5019	文件：1.43779 Mbytes Page：4 Pages	丝印：C5019；Package：TO-92；TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES Low VCE(sat) General Purpose Amplifier Transistor 文件：1.43779 Mbytes 页数：4 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
KSC5019	文件：300 bytes Page：1 Pages	TO-92 Bipolar Junction Transistors	LISION 力神	LISION
KSC5019	文件：300 bytes Page：1 Pages	Transistor	Semiteh	Semiteh
KSC5019	文件：300 bytes Page：1 Pages	晶体管	JSCJ 长晶科技	JSCJ
KSC5019_V01	文件：323.55 Kbytes Page：7 Pages	NPN Epitaxial Silicon Transistor Features • Low Saturation • VCE(sat) = 0.5 V at IC = 2 A, IB = 50 mA 文件：323.55 Kbytes 页数：7 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
KSC5019MTA	文件：323.55 Kbytes Page：7 Pages	丝印：C5019；Package：TO-92-3L；NPN Epitaxial Silicon Transistor Features • Low Saturation • VCE(sat) = 0.5 V at IC = 2 A, IB = 50 mA 文件：323.55 Kbytes 页数：7 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
KSC5019MTA..	文件：323.55 Kbytes Page：7 Pages	NPN Epitaxial Silicon Transistor Features • Low Saturation • VCE(sat) = 0.5 V at IC = 2 A, IB = 50 mA 文件：323.55 Kbytes 页数：7 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD

技术参数

Compliance：
Pb-free
Status：
Active
Description：
NPN Epitaxial Silicon Transistor
Polarity：
NPN
Type：
General Purpose
VCE(sat) Max (V)：
Condition
IC Cont. (A)：
2
VCEO Min (V)：
10
VCBO (V)：
30
VEBO (V)：
6
VBE(on) (V)：
Condition
hFE Min：
Condition
hFE Max：
Condition
fT Min (MHz)：
Condition
PTM Max (W)：
0.75
Package Type：
TO-92-3 LF

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