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KSB1151中文资料PNP (LOW COLLECTOR SATURATION VOLTAGE LARGE CURRENT)数据手册Samsung规格书

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厂商型号

KSB1151

参数属性

KSB1151 封装/外壳为TO-225AA,TO-126-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 60V 5A TO126-3

功能描述

PNP (LOW COLLECTOR SATURATION VOLTAGE LARGE CURRENT)

封装外壳

TO-225AA,TO-126-3

制造商

Samsung Samsung semiconductor

中文名称

三星 三星半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-25 18:41:00

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技术参数

  • 产品编号:

    KSB1151YSTSSTU

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    管件

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    300mV @ 200mA,2A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    10µA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    160 @ 2A,1V

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-225AA,TO-126-3

  • 供应商器件封装:

    TO-126-3

  • 描述:

    TRANS PNP 60V 5A TO126-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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