KSA708中文资料PNP外延硅晶体管数据手册ONSEMI规格书

厂商型号	KSA708
参数属性	KSA708 封装/外壳为TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 60V 0.7A TO92-3
功能描述	PNP外延硅晶体管 TRANS PNP 60V 0.7A TO92-3
封装外壳	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线
制造商	ONSEMI ON Semiconductor
中文名称	安森美半导体
数据手册	原厂下载下载地址下载地址二
更新时间	2026-2-9 22:52:00
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KSA708规格书详情

特性 Features

• 低频放大器和中速开关
•KSC1008的补充器件
•集电极-基极电压： VCBO = 80V
•集电极损耗： PC =800mW
•后缀“-C”表示中心集电极（1. 发射极 2. 集电极 3. 基极）

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.

简介

KSA708属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由ONSEMI制造生产的KSA708晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。

技术参数

制造商编号
：KSA708
生产厂家
：ONSEMI
Pb-free
：Pb
Status
：Active
Polarity
：PNP
Type
：General Purpose
VCE(sat) Max (V)
：0.7
IC Cont. (A)
：0.7
VCEO Min (V)
：60
VCBO (V)
：80
VEBO (V)
：8
VBE(sat) (V)
：1.1
VBE(on) (V)
：-
hFE Min
：120
hFE Max
：240
fT Min (MHz)
：50
PTM Max (W)
：0.8
Package Type
：TO-92-3

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