KSB1015中文资料PNP Epitaxial Silicon Transistor数据手册ONSEMI规格书
| 厂商型号 |
KSB1015 |
| 参数属性 | KSB1015 封装/外壳为TO-220-3 整包；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 60V 3A TO220F-3 |
| 功能描述 | PNP Epitaxial Silicon Transistor |
| 封装外壳 | TO-220-3 整包 |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-25 20:00:00 |
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KSB1015规格书详情
特性 Features
• 低频功率放大器
•低集电极-发射极饱和
•KSD1406的补充器件
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
简介
KSB1015属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的KSB1015晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
：KSB1015
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Status
：Active
- Polarity
：PNP
- Type
：General Purpose
- VCE(sat) Max (V)
：1
- IC Cont. (A)
：3
- VCEO Min (V)
：60
- VCBO (V)
：60
- VEBO (V)
：7
- VBE(sat) (V)
：-
- VBE(on) (V)
：1
- hFE Min
：100
- hFE Max
：200
- fT Min (MHz)
：-
- PTM Max (W)
：25
- Package Type
：TO-220-3 FullPak
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
560 |
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询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO220F |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
ON |
21+ |
TO-220 |
3000 |
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询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
ON |
23+ |
TO-220 |
3000 |
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询价 | ||
- |
23+ |
NA |
13000 |
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询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
23+24 |
TO220F |
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询价 | ||
FSC |
25+23+ |
TO-220F |
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FAIRCHILD/仙童 |
2023+ |
TO220F |
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十五年行业诚信经营,专注全新正品 |
询价 | ||
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24+ |
TO-220 |
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询价 |
