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KSA539	文件：37.43 Kbytes Page：4 Pages	Low Frequency Amplifier Low Frequency Amplifier • Complement to KSC815 • Collector-Base Voltage: VCBO = -60V • Collector Power Dissipation: PC = 400mW • Suffix “-C” means Center Collector (1. Emitter 2. Collector 3. Base) 文件：37.43 Kbytes 页数：4 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
KSA539	文件：368.67 Kbytes Page：3 Pages	TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors 文件：368.67 Kbytes 页数：3 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
KSA539	文件：71.99 Kbytes Page：1 Pages	PNP Plastic Encapsulated Transistor 文件：71.99 Kbytes 页数：1 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
KSA539	文件：125.76 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR (PNP) 文件：125.76 Kbytes 页数：1 Pages	WINNERJOIN 永而佳	WINNERJOIN
KSA539	文件：818.58 Kbytes Page：6 Pages	Silicon PNP transistor in a TO-92 Plastic Package 文件：818.58 Kbytes 页数：6 Pages	FOSHAN 蓝箭电子	FOSHAN
KSA539	文件：300 bytes Page：1 Pages	双极晶体管	BlueRocket 蓝箭电子	BlueRocket
KSA539	文件：300 bytes Page：1 Pages	Small Signal Transistor	Secos 喜可士	Secos
KSA539	文件：300 bytes Page：1 Pages	晶体管	JSCJ 长晶科技	JSCJ
KSA539CYTA	文件：37.43 Kbytes Page：4 Pages	Low Frequency Amplifier Low Frequency Amplifier • Complement to KSC815 • Collector-Base Voltage: VCBO = -60V • Collector Power Dissipation: PC = 400mW • Suffix “-C” means Center Collector (1. Emitter 2. Collector 3. Base) 文件：37.43 Kbytes 页数：4 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
KSA539O	文件：37.43 Kbytes Page：4 Pages	Low Frequency Amplifier Low Frequency Amplifier • Complement to KSC815 • Collector-Base Voltage: VCBO = -60V • Collector Power Dissipation: PC = 400mW • Suffix “-C” means Center Collector (1. Emitter 2. Collector 3. Base) 文件：37.43 Kbytes 页数：4 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild

技术参数

Compliance：
Pb-free
Status：
Active
Description：
PNP Epitaxial Silicon Transistor
Polarity：
PNP
Type：
General Purpose
VCE(sat) Max (V)：
Condition
IC Cont. (A)：
0.2
VCEO Min (V)：
45
VCBO (V)：
60
VEBO (V)：
5
VBE(sat) (V)：
Condition
VBE(on) (V)：
Condition
hFE Min：
Condition
hFE Max：
Condition
PTM Max (W)：
0.4
Package Type：
TO-92-3 LF

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