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AEDR-8721	文件：1.025119 Mbytes Page：14 Pages	3-ChannelHighResolutionReflectiveIncrementalEncoder(DigitalOutputs) Features World'ssmallest3-channelreflectivetechnologyencoder DigitalOutputoption–3channelsTTLcompatible;2channelquadrature(AB)digitaloutputsfordirectionsensingandathirdchannel,Indexdigitaloutput.Built-ininterpolatorfor4×,8×,and16×interpolation. Surface	BOARDCOMBroadcom Corporation. 博通公司博通半导体
COP8721C	文件：831.13 Kbytes Page：19 Pages	SINGLE-CHIPMICROCMOSMICROCONTROLLERS	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司
COP8721CN	文件：831.13 Kbytes Page：19 Pages	SINGLE-CHIPMICROCMOSMICROCONTROLLERS	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司
EP8721	文件：21.77 Kbytes Page：1 Pages	14PinDIP5TapTTLCompatibleHighSpeedActiveDelayLines	PCA PCA Electronics, Inc.
EP8721(-RC)	文件：21.77 Kbytes Page：1 Pages	14PinDIP5TapTTLCompatibleHighSpeedActiveDelayLines	PCA PCA Electronics, Inc.
EP8721-RC	文件：21.77 Kbytes Page：1 Pages	14PinDIP5TapTTLCompatibleHighSpeedActiveDelayLines	PCA PCA Electronics, Inc.
F8721	文件：275.78 Kbytes Page：7 Pages	SAWBandpassFilter	ITFIntegrated Technology Future Integrated Technology Future
IIRLB8721	文件：339.03 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
IIRLR8721	文件：336.29 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor DESCRIPTION •HighDCCurrentGain-hFE=750(Min)@IC=15A •HighCollector-EmitterSustainingVoltage- :VCEO(SUS)=100V(Min) •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS •Designedforgeneralpurposeamplifierandlowspeed s	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
IRF8721GPBF	文件：257.69 Kbytes Page：9 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRF8721PBF	文件：235.01 Kbytes Page：9 Pages	ControlMOSFETofSync-BuckConvertersusedforNotebookProcessorPower	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRF8721PBF	文件：235.01 Kbytes Page：9 Pages	ControlMOSFETforIsolatedDC-DCConvertersinNetworkingSystems	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRF8721PBF	文件：235.01 Kbytes Page：9 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description TheIRF8721PbFincorporatesthelatestHEXFETPowerMOSFETSiliconTechnologyintotheindustrystandardSO-8packageTheIRF8721PbFhasbeenoptimizedforparametersthatarecriticalinsynchronousbuckoperationincludingRds(on)andgatechargetoreducebothconductionandswitch	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRF8721TRPBF	文件：235.01 Kbytes Page：9 Pages	ControlMOSFETofSync-BuckConvertersusedforNotebookProcessorPower	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRF8721TRPBF	文件：1.05296 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
IRLB8721	文件：339.03 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
IRLB8721PBF	文件：1.65542 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
IRLB8721PBF	文件：272.72 Kbytes Page：9 Pages	OptimizedforUPS/InverterApplications	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRLB8721PBF	文件：272.72 Kbytes Page：9 Pages	HEXFETPowerMOSFET Benefits •VeryLowRDS(on)at4.5VVGS •Ultra-LowGateImpedance •FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent •Lead-Free Applications •OptimizedforUPS/InverterApplications •HighFrequencySynchronousBuckConvertersforComputerProcessorPower •HighFrequencyIsolatedDC-D	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRLR8721	文件：336.29 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor DESCRIPTION •HighDCCurrentGain-hFE=750(Min)@IC=15A •HighCollector-EmitterSustainingVoltage- :VCEO(SUS)=100V(Min) •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS •Designedforgeneralpurposeamplifierandlowspeed s	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

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更多KS8721BTR供应商更新时间2024-4-28 18:03:00

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