| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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4年
留言
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ST/意法TO-220F |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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12年
留言
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FSC900000 |
2012 |
TO-220 |
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8年
留言
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ONSEMIN/A |
11543 |
25+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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6年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-220 |
2000 |
23+ |
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6年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-220 |
2000 |
1936 |
1936 |
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13年
留言
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FSOP |
3200 |
25+ |
全新原装、诚信经营、公司现货销售 |
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13年
留言
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FSCSOP/DIP |
19889 |
2015+ |
原装现货 |
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19年
留言
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FAIRCHILDTO-220 |
2010 |
1936 |
全新 发货1-2天 |
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18年
留言
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FSC原厂原装 |
64 |
05+ |
只做全新原装真实现货供应 |
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17年
留言
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FSC/STDIPSMD |
5975 |
24+ |
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1年
留言
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SECTO-220 |
4800 |
26+ |
原厂渠道 可含税出货,支持一站式配单 |
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5年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO220 |
100500 |
2447 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
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14年
留言
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FSCTO-220 |
16800 |
26+ |
原装现货 |
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1年
留言
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SECTO-220 |
4800 |
26+ |
电子元器件采购降本 30%!砍掉中间差价! |
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10年
留言
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FTO220 |
3689 |
最新 |
原装进口现货库存专业工厂研究所配单供货 |
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6年
留言
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SECTO-220 |
4800 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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4年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-220 |
90000 |
25+ |
全新原装现货 |
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2年
留言
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SECTO-220 |
3658 |
26+ |
芯为深仓现货 |
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6年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-220 |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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FAIRCHILD/仙童 |
20 |
2022+ |
全新原装 货期两周 |
KSE13005采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
KSE13005图片
KSE13005中文资料Alldatasheet PDF
更多KSE13005制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:High Voltage Switch Mode Application
KSE13005A功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
KSE13005ATU功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
KSE13005F功能描述:两极晶体管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
KSE13005FH1功能描述:两极晶体管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
KSE13005FH1TU功能描述:两极晶体管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
KSE13005FH2功能描述:两极晶体管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
KSE13005FH2TU功能描述:两极晶体管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
KSE13005FTU功能描述:两极晶体管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
KSE13005H1A功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

























