| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-220 |
155492 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO220F |
1174 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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ST/意法TO-220F |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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深圳市益百分电子有限公司10年
留言
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FSC900000 |
2012 |
TO-220 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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FAIRCHILD/仙童NA/ |
2000 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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SEC品牌TO-220 |
6528 |
2016+ |
房间原装进口现货假一赔十 |
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深圳市星宇佳科技有限公司2年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-220 |
2000 |
1936 |
1936 |
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深圳市鑫宇杨电子科技有限公司8年
留言
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原厂品牌原厂封装 |
350000 |
2020+ |
100%进口原装正品公司现货库存 |
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鑫勃源（上海北京 青岛）有限公司10年
留言
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FSCDIP-8 |
18000 |
23+ |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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SECTO-220F |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-220 |
2000 |
23+ |
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深圳市恒达亿科技有限公司10年
留言
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FSOP |
3200 |
23+ |
全新原装、诚信经营、公司现货销售 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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FSCTO-220 |
16800 |
2020+ |
绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势!? |
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深圳市晨豪科技有限公司10年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-220 |
89630 |
23+ |
当天发货全新原装现货 |
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深圳市近平电子有限公司8年
留言
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FAIRCHILD面议 |
19 |
6000 |
TO-220 |
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绿盛电子(香港)有限公司5年
留言
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FSCSOP/DIP |
19889 |
2015+ |
原装现货 |
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齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司10年
留言
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原厂TO220F |
5000 |
23+ |
原装正品,假一罚十 |
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深圳市星佑电子有限公司16年
留言
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FSC原厂原装 |
64 |
05+ |
只做全新原装真实现货供应 |
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深圳市宝隆宏业科技有限公司7年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-220 |
29860 |
2122+ |
全新原装正品,价格优势一片起售,可做含税 |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
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SECTO-220 |
12000 |
23+ |
原装正品真实现货杜绝虚假 |
KSE13005采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
KSE13005图片
KSE13005中文资料Alldatasheet PDF
更多KSE13005制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:High Voltage Switch Mode Application
KSE13005A功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
KSE13005ATU功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
KSE13005F功能描述:两极晶体管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
KSE13005FH1功能描述:两极晶体管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
KSE13005FH1TU功能描述:两极晶体管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
KSE13005FH2功能描述:两极晶体管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
KSE13005FH2TU功能描述:两极晶体管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
KSE13005FTU功能描述:两极晶体管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
KSE13005H1A功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
