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KPS8N65D

DPAK(1) N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR N 650V 8A 73.5W 0.58Ω-Ω-Ω20nC2V4V500pF

• VDSS=650V, ID=8A • Drain-Source ON Resistance : RDS(ON)(Max)=0.58Ω @VGS=10V • Qg(typ.)= 20nC;

KEC

KPS8N65D

This Super Junction MOSFET has better characteristics

文件:389.32 Kbytes 页数:6 Pages

KEC

KEC(Korea Electronics)

KPS8N65F

This Super Junction MOSFET has better characteristics

文件:993.03 Kbytes 页数:6 Pages

KEC

KEC(Korea Electronics)

KSM8N65

Advanced high cell denity trench technology for ultra RDS

文件:678.99 Kbytes 页数:4 Pages

KERSEMI

KSMB8N65

Green device available.

文件:693.53 Kbytes 页数:4 Pages

KERSEMI

技术参数

  • Polarity:

    N

  • VDS (V):

    650

  • ID (A):

    8

  • PD (W):

    73.5

  • RDS(ON) (10V) (Ω):

    0.58

  • Qg (nC):

    20

  • Vth(max) (V):

    4

  • Ciss (pF):

    500

  • ESD DIODE:

    N

  • AEC-Q:

    N

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更多KPS8N65D供应商 更新时间2025-10-8 9:38:00