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KPS8N60F

TO-220IS(1) N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR N 600V 8A 34.7W 0.58Ω-Ω-Ω15nC2V4V400pF

• VDSS=600V, ID=8A \n• Drain-Source ON Resistance : RDS(ON)(Max)=0.58Ω @VGS=10V \n• Qg(typ.)= 15nC;

KEC

KPS8N60F

This Super Junction MOSFET has better characteristics

文件:390.92 Kbytes 页数:6 Pages

KEC

KEC(Korea Electronics)

KSM8N60

Advanced high cell denity trench technology for ultra RDS

文件:678.75 Kbytes 页数:4 Pages

KERSEMI

KSM8N60C

600V N-CHANNEL MOSFET

文件:2.21191 Mbytes 页数:7 Pages

KERSEMI

KSMB8N60

Green device available.

文件:693.25 Kbytes 页数:4 Pages

KERSEMI

技术参数

  • Polarity:

    N

  • VDS (V):

    600

  • ID (A):

    8

  • PD (W):

    34.7

  • RDS(ON) (10V) (Ω):

    0.58

  • Qg (nC):

    15

  • Vth(max) (V):

    4

  • Ciss (pF):

    400

  • ESD DIODE:

    N

  • AEC-Q:

    N

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KEC
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更多KPS8N60F供应商 更新时间2025-10-11 11:00:00