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KNY3404C

MOS(场效应管)

KIA

可易亚半导体

KO3404

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

Features ● VDS (V) = 30V ● ID =5.8 A (VGS=10V) ● RDS(ON) 28 mΩ (VGS = 10V) ● RDS(ON) 43 mΩ (VGS = 4.5V)

文件:55.61 Kbytes 页数:2 Pages

KEXIN

科信电子

KSM3404

Advanced high cell denity trench technology for ultra RDS(ON)

文件:258.329 Kbytes 页数:4 Pages

KERSEMI

LCE3404

LCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件:1.15729 Mbytes 页数:6 Pages

LEIDITECH

雷卯电子

技术参数

  • 连续漏极电流(Id)(25°C 时):

    80A(Tc)

  • 栅源极阈值电压:

    2.5V @ 250uA

  • 漏源导通电阻:

    6.5mΩ @ 10A

  • 最大功率耗散(Ta=25°C):

    52.1W(Tc)

  • 类型:

    N沟道

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
KIA 半导体
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更多KNY3404C供应商 更新时间2025-12-26 15:01:00