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KNE4603A2

MOS(场效应管)

KIA

可易亚半导体

技术参数

  • 连续漏极电流(Id)(25°C 时):

    7A

  • 栅源极阈值电压:

    2.5V @ 250uA

  • 漏源导通电阻:

    20mΩ @ 7A

  • 最大功率耗散(Ta=25°C):

    1.5W

  • 类型:

    双N沟道

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
KIA 半导体
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更多KNE4603A2供应商 更新时间2025-11-25 15:01:00