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KMZ10	文件：69.77 Kbytes Page：8 Pages	Magnetic field sensor DESCRIPTION TheKMZ10Aisanextremelysensitivemagneticfieldsensor,employingthemagnetoresistiveeffectofthin-filmpermalloy.Itspropertiesenablethissensortobeusedinawiderangeofapplicationsfornavigation,currentandfieldmeasurement,revolutioncounters,angularorlinea	PHIPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	PHI
KMZ10A	文件：69.77 Kbytes Page：8 Pages	Magnetic field sensor DESCRIPTION TheKMZ10Aisanextremelysensitivemagneticfieldsensor,employingthemagnetoresistiveeffectofthin-filmpermalloy.Itspropertiesenablethissensortobeusedinawiderangeofapplicationsfornavigation,currentandfieldmeasurement,revolutioncounters,angularorlinea	PHIPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	PHI
KMZ10A	文件：300 bytes Page：1 Pages	Magnetic field sensor; DESCRIPTION\nThe KMZ10A is an extremely sensitive magnetic field sensor, employing the magnetoresistive effect of thin-film permalloy. Its properties enable this sensor to be used in a wide range of applications for navigation, current and field measurement, revolution counters, angular or linear position measurement and proximity detectors, etc.	恩XP	恩XP
KMZ10A1	文件：82.86 Kbytes Page：12 Pages	Magnetic field sensor DESCRIPTION TheKMZ10A1isanextremelysensitivemagneticfieldsensor,employingthemagnetoresistiveeffectofthin-filmpermalloy.Itspropertiesenablethissensortobeusedinawiderangeofapplicationssuchasnavigation,currentandearthmagneticfieldmeasurementetc.Thespecialarr	PHIPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	PHI
KMZ10B	文件：67.79 Kbytes Page：8 Pages	Magnetic field sensor DESCRIPTION TheKMZ10Bisasensitivemagneticfieldsensor,employingthemagnetoresistiveeffectofthin-filmpermalloy.Itspropertiesenablethissensortobeusedinawiderangeofapplicationsforcurrentandfieldmeasurement,revolutioncounters,angularorlinearpositionmeasurement,p	PHIPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	PHI
KMZ10C	文件：69.47 Kbytes Page：8 Pages	Magnetic field sensor DESCRIPTION TheKMZ10Cisamagneticfieldsensor,employingthemagnetoresistiveeffectofthin-filmpermalloy.Itspropertiesenablethissensortobeusedinawiderangeofapplicationsforcurrentandfieldmeasurement,revolutioncounters,angularorlinearpositionmeasurementandproximity	PHIPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	PHI
KMZ108M016S1A9H16K	文件：300 bytes Page：1 Pages	液态铝电解电容器;	ETC	ETC

技术参数

分类：
引线型
系列：
MZ
容量(μF)：
1000
额定电压(V)：
16
涌浪电压(V)：
20
特征：
超低阻抗
寿命(+R=Withripple)：
105℃ 2000hours+R
纹波电流：
2210 (mA/rms
阻抗：
19 (mΩ
直径(mm)：
10
高度(mm)：
16

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