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NX8343	文件：287.46 Kbytes Page：14 Pages	LASERDIODE 1310nmAlGaInAsMQW-DFBLASERDIODE FOR10Gb/sAPPLICATION FEATURES •Internalopticalisolator •OpticaloutputpowerPf=−2dBm •Lowthresholdcurrentlth=8mATYP.@TC=25°C •WideoperatingtemperaturerangeTC=−5to+85°C •InGaAsmonitorPIN-PD	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
S8343	文件：124.28 Kbytes Page：1 Pages	18watt;pin-basedCompactFluorescent;3500K;82CRI;GX24q-2(4-Pin)base	SATCO Satco Products, Inc.	SATCO
SGA-8343	文件：181.24 Kbytes Page：4 Pages	LowNoise,HighGainSiGeHBT [Stanford-Microdevices] ProductDescription StanfordMicrodevices’SGA-8343isahighperformanceSiGeHBTamplifierdesignedforoperationfromDCto6GHz.ThisRFdeviceusesthelatestSiliconGermaniumHeterostructureBipolarTransistor(SiGeHBT)process.TheSGA-8343isoptimizedfor3Vo	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC

详细参数

型号：
KMPC8343EVRAGD
功能描述：
IC MPU PWRQUICC II 620-PBGA
RoHS：
是
类别：
集成电路(IC) >> 嵌入式 - 微处理器
系列：
MPC83xx
标准包装：
2
系列：
MPC8xx
处理器类型：
32-位 MPC8xx PowerQUICC
特点：
-
速度：
133MHz
电压：
3.3V
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
357-BBGA
供应商设备封装：
357-PBGA（25x25）
包装：
托盘

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更多KMPC8343EVRAGD供应商更新时间2025-5-29 16:20:00

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