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KLUDG8J1ZD-B0CQ

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通用闪存

• Industry First 512GB eUFS\n• Lower Power Achieves More;

Samsung

三星

技术参数

  • Density：

    128GB

  • Voltage：

    1.8 / 3.3 V

  • Interface：

    G3 2Lane

  • Package Size：

    11.5 x 13 x 1.2 mm

  • Temp.：

    -40 ~ 105 °C

  • Product Status：

    Mass Production

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
深圳市高捷芯城科技有限公司
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SAMSUNG(三星半导体)
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G3 2Lane
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KLUDG8J1ZD-B0CQ存储IC
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SAMSUNG(三星)
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更多KLUDG8J1ZD-B0CQ供应商 更新时间2025-11-15 13:43:00

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