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KHB9D5N20F1中文资料N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR数据手册KEC规格书
KHB9D5N20F1规格书详情
描述 Description
General Description
This planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, low on resistance, low gate charge and excellent avalanche characteristics. It is mainly suitable for electronic ballast and switch mode power supplies.FEATURES
• VDSS=200V, ID=9.5A
• Drain-Source ON Resistance
: RDS(ON)=400m @VGS = 10V
• Qg(typ.)=18.5nC
特性 Features
• VDSS=200V, ID=9.5A
• Drain-Source ON Resistance
: RDS(ON)=400m @VGS = 10V
• Qg(typ.)=18.5nC
技术参数
- 型号：
KHB9D5N20F1
- 制造商：
KEC
- 制造商全称：
KEC(Korea Electronics)
- 功能描述：
N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
24+ |
TO-220F |
20000 |
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询价 | |||
KEC |
25+ |
NA |
880000 |
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SAMSUNG/三星 |
24+ |
BGA |
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24+ |
TO220F |
7800 |
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KEC |
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K |
23+ |
TO-220FP |
6000 |
原装正品，支持实单 |
询价 | ||
KEC |
2447 |
TO-220F |
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KEC |
23+ |
TO-220F |
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SAMSUNG/三星 |
22+ |
MPGA |
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三星系列优势渠道 |
询价 | ||
KEC |
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TO-220F |
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