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KHB2D0N60P中文资料N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR数据手册KEC规格书
KHB2D0N60P规格书详情
描述 Description
General Description
This planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, low on resistance, low gate charge and excellent avalanche characteristics. It is mainly suitable for switching mode power supplies.FEATURES
VDSS= 600V, ID= 2.0A
Drain-Source ON Resistance :
RDS(ON)=5.0Ω@VGS= 10V
Qg(typ.) = 10.9nC
特性 Features
VDSS= 600V, ID= 2.0A
Drain-Source ON Resistance :
RDS(ON)=5.0Ω@VGS= 10V
Qg(typ.) = 10.9nC
技术参数
- 型号：
KHB2D0N60P
- 制造商：
KEC
- 制造商全称：
KEC(Korea Electronics)
- 功能描述：
N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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KEC |
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