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KHB6D0N40F中文资料N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR数据手册KEC规格书

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厂商型号

KHB6D0N40F

功能描述

N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

制造商

KEC KEC(Korea Electronics)

数据手册

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更新时间

2025-9-27 19:09:00

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KHB6D0N40F规格书详情

描述 Description

General Description
This planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, low on resistance, low gate charge and excellent avalanche characteristics. It is mainly suitable for electronic ballast and switching mode power supplies.FEATURES
• VDSS=400V, ID=6.0A
• Drain-Source ON Resistance :
   RDS(ON)=1.0 @VGS=10V
• Qg(typ.)=21nC

特性 Features

• VDSS=400V, ID=6.0A
• Drain-Source ON Resistance :
   RDS(ON)=1.0 @VGS=10V
• Qg(typ.)=21nC

技术参数

  • 型号:

    KHB6D0N40F

  • 制造商:

    KEC

  • 制造商全称:

    KEC(Korea Electronics)

  • 功能描述:

    N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
KEC
24+
TO220F
990000
明嘉莱只做原装正品现货
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KEC
23+
TO-220F
6000
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KEC
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13000
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23+
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TO-220F
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原装现货假一罚十
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KEC
2022+
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全新原装 货期两周
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