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KHB4D5N60P	文件：500.25 Kbytes Page：7 Pages	N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforswitchingmodepowersupplies. FEATURES •VDSS(Min.)=600V,ID=4.5A •Drain-SourceONRe	KECKEC CORPORATION KEC株式会社
KHB4D5N60P	文件：1.08669 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 650 V (D-S) MOSFET FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent •ComplianttoRoHSdirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
KHB4D5N60F	文件：500.25 Kbytes Page：7 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforswitchingmodepowersupplies. FEATURES •VDSS(Min.)=600V,ID=4.5A •Drain-SourceONRe	KECKEC CORPORATION KEC株式会社

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KHB4D5N60P

文件：500.25 Kbytes

Page：7 Pages

N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforswitchingmodepowersupplies. FEATURES •VDSS(Min.)=600V,ID=4.5A •Drain-SourceONRe

KECKEC CORPORATION

KEC株式会社

KHB4D5N60P

文件：1.08669 Mbytes

Page：9 Pages

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent •ComplianttoRoHSdirective2002/95/EC

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

KHB4D5N60F

文件：500.25 Kbytes

Page：7 Pages

NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

KECKEC CORPORATION

KEC株式会社

详细参数

型号：
KHB4D5N60P
制造商：
KEC
制造商全称：
KEC(Korea Electronics)
功能描述：
N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

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