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KHB4D0N80F2

N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

General Description This planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, low on resistance, low gate charge and excellent avalanche characteristics. It is mainly suitable for electronic ballast and switch mode power supplies. FEATURES • VDSS=800V, ID=4A • Drain-So

文件:504.61 Kbytes 页数:7 Pages

KEC

KEC(Korea Electronics)

KHB4D0N80F2

Power MOSFET

FEATURES • Dynamic dV/dt Rating • Repetitive Avalanche Rated • Isolated Central Mounting Hole • Fast Switching • Ease of Paralleling • Simple Drive Requirements • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

文件:1.28958 Mbytes 页数:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

KHB4D5N60F

TO-220F

KEC

KEC(Korea Electronics)

上传:深圳市勤思达科技有限公司

KHBAC4A03C-MC1HT

原装

SAMSUNG/三星

KH-SMA-K513-G

DIP

KINGHELM金航标

上传:深圳市科恒伟业电子有限公司

KINGHELM金航标

详细参数

  • 型号:

    KHB4D0N80F2

  • 制造商:

    KEC

  • 制造商全称:

    KEC(Korea Electronics)

  • 功能描述:

    N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

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更多KHB4D0N80F2供应商 更新时间2026-1-23 9:59:00