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KGT25N120KDA	文件：567.69 Kbytes Page：8 Pages	SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KGT25N120KDA	文件：573.35 Kbytes Page：8 Pages	High speed switching	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KGT25N120NDA	文件：123.9 Kbytes Page：8 Pages	SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KGT25N120NDA_15	文件：129.41 Kbytes Page：8 Pages	High speed switching	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KGT25N120NDH	文件：1.48621 Mbytes Page：7 Pages	High speed switching	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KGT25N120NDH_15	文件：1.47497 Mbytes Page：7 Pages	High speed switching	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
MGY25N120	文件：228.6 Kbytes Page：6 Pages	InsulatedGateBipolarTransistor ThisInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)usesanadvancedterminationschemetoprovideanenhancedandreliablehighvoltageblockingcapability.ShortcircuitratedIGBT’sarespecificallysuitedforapplicationsrequiringaguaranteedshortcircuitwithstandtime.Fastswitchingcharacteri	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MGY25N120	文件：153.58 Kbytes Page：5 Pages	InsulatedGateBipolarTransistor ThisInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)usesanadvancedterminationschemetoprovideanenhancedandreliablehighvoltageblockingcapability.ShortcircuitratedIGBT’sarespecificallysuitedforapplicationsrequiringaguaranteedshortcircuitwithstandtime.Fastswitchingcharacteri	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MGY25N120D	文件：171.59 Kbytes Page：6 Pages	InsulatedGateBipolarTransistorwithAnti-ParallelDiode InsulatedGateBipolarTransistorwithAnti-ParallelDiode N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)isco–packagedwithasoftrecoveryultra–fastrectifierandusesanadvancedterminationschemetoprovideanenhancedandreliablehighvoltageblock	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MGY25N120D	文件：256.3 Kbytes Page：6 Pages	InsulatedGateBipolarTransistorwithAnti-ParallelDiode InsulatedGateBipolarTransistorwithAnti-ParallelDiode N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)isco–packagedwithasoftrecoveryultra–fastrectifierandusesanadvancedterminationschemetoprovideanenhancedandreliablehighvoltageblock	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MIW25N120FA	文件：1.02325 Mbytes Page：7 Pages	TrenchandFieldStopIGBT1200V25A Features •LowVCE(sat)Trench-FSIGBTtechnology •Positivetemperaturecoefficient •Includingfast&softrecoveryanti-parallelFWD •Highshortcircuitcapability(10us) •HalogenFree.“Green”Device(Note1) •EpoxyMeetsUL94V-0FlammabilityRating •LeadFreeFinish/RoHSCompliant	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MIW25N120FA-BP	文件：1.02325 Mbytes Page：7 Pages	TrenchandFieldStopIGBT1200V25A Features •LowVCE(sat)Trench-FSIGBTtechnology •Positivetemperaturecoefficient •Includingfast&softrecoveryanti-parallelFWD •Highshortcircuitcapability(10us) •HalogenFree.“Green”Device(Note1) •EpoxyMeetsUL94V-0FlammabilityRating •LeadFreeFinish/RoHSCompliant	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
NGTB25N120FLWG	文件：188.23 Kbytes Page：10 Pages	IGBT	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NGTB25N120IHLWG	文件：175.61 Kbytes Page：9 Pages	Incorporatedintothedeviceisaruggedco?뭦ackagedfreewheelingdiodewithalowforwardvoltage.	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NGTB25N120LWG	文件：179.23 Kbytes Page：9 Pages	IGBT	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NGTB25N120SWG	文件：90.5 Kbytes Page：5 Pages	IGBT-InverterWelding	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
RLTPGB25N120CT	文件：426.05 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNELIGBT APPLICATIONS Generalpurposeinverters UPS FEATURES Lowgatecharge TrenchFSTechnology, Saturationvoltage:VCE(sat),typ=1.9VIC=25AandTC=25°C	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯聖電子唯聖電子有限公司	GWSEMI
SGH25N120	文件：499.71 Kbytes Page：7 Pages	ShortCircuitRatedIGBT GeneralDescription FairchildsRUFseriesofInsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)provideslowconductionandswitchinglossesaswellasshortcircuitruggedness.TheRUFseriesisdesignedforapplicationssuchasmotorcontrol,uninterruptedpowersupplies(UPS)andgeneralinverterswhe	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SGH25N120RUF	文件：499.71 Kbytes Page：7 Pages	ShortCircuitRatedIGBT GeneralDescription FairchildsRUFseriesofInsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)provideslowconductionandswitchinglossesaswellasshortcircuitruggedness.TheRUFseriesisdesignedforapplicationssuchasmotorcontrol,uninterruptedpowersupplies(UPS)andgeneralinverterswhe	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SGL25N120RUF	文件：510.72 Kbytes Page：7 Pages	ShortCircuitRatedIGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

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详细参数

型号：
KGT25N120
制造商：
KEC
制造商全称：
KEC(Korea Electronics)
功能描述：
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多KGT25N120供应商更新时间2024-9-23 16:12:00

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