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KSMU6N60	文件：651.58 Kbytes Page：4 Pages	Excellentpackageforgoodheatdissipation.	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
MDF6N60	文件：1.10094 Mbytes Page：9 Pages	N-ChannelMOSFET600V,6A,1.4ohm	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDF6N60TH	文件：1.10094 Mbytes Page：9 Pages	N-ChannelMOSFET600V,6A,1.4ohm	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDP6N60	文件：1.10094 Mbytes Page：9 Pages	N-ChannelMOSFET600V,6A,1.4ohm	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDP6N60TH	文件：1.10094 Mbytes Page：9 Pages	N-ChannelMOSFET600V,6A,1.4ohm	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MSF6N60	文件：1.2097 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	BWTECH Bruckewell Technology LTD	BWTECH
MTB6N60	文件：192.39 Kbytes Page：10 Pages	TMOSPOWERFET6.0AMPERES600VOLTS TMOSE-FET™HighEnergyPowerFETD2PAKforSurfaceMount N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate TheD2PAKpackagehasthecapabilityofhousingalargerdiethananyexistingsurfacemountpackagewhichallowsittobeusedinapplicationsthatrequiretheuseofsurfacemountcomponentswith	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MTB6N60	文件：160.56 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET6.0AMPERES600VOLTS TMOSE-FET™HighEnergyPowerFETD2PAK-SLStraightLead N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisadvancedTMOSE–FETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–sourcediodewithafastrecoverytime.De	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MTB6N60E	文件：192.39 Kbytes Page：10 Pages	TMOSPOWERFET6.0AMPERES600VOLTS TMOSE-FET™HighEnergyPowerFETD2PAKforSurfaceMount N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate TheD2PAKpackagehasthecapabilityofhousingalargerdiethananyexistingsurfacemountpackagewhichallowsittobeusedinapplicationsthatrequiretheuseofsurfacemountcomponentswith	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MTH6N60	文件：232.57 Kbytes Page：6 Pages	PowerFieldEffectTransistor	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多KF6N60P供应商更新时间2025-5-17 14:00:00

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