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KF4N80F	文件：391.06 Kbytes Page：6 Pages	This planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, low on resistance, low gate charge and excellent avalanche characteristics. GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforactivepowerfactorcorrectionandswitchingmodepowersupplies. FEATURES •VDSS=800V,ID	MORNSUNGuangzhou Jinshengyang Technology Co., Ltd 金升阳广州金升阳科技有限公司	MORNSUN
KF4N80F	文件：389.87 Kbytes Page：6 Pages	N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforactivepowerfactorcorrectionandswitchingmodepowersupplies. FEATURES •VDSS=800V,ID	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KF4N80F	文件：1.28966 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET FEATURES •DynamicdV/dtRating •RepetitiveAvalancheRated •IsolatedCentralMountingHole •FastSwitching •EaseofParalleling •SimpleDriveRequirements •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
KF4N80F_15	文件：389.87 Kbytes Page：6 Pages	N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KSM4N80	文件：1.92391 Mbytes Page：7 Pages	800VN-ChannelMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSMB4N80	文件：734.8 Kbytes Page：4 Pages	Greendeviceavailable.	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSMF4N80	文件：1.91068 Mbytes Page：7 Pages	800VN-ChannelMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
MTB4N80E	文件：195.74 Kbytes Page：10 Pages	TMOSPOWERFET4.0AMPERES800VOLTS TMOSE-FETHighEnergyPowerFETD2PAKforSurfaceMount N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate TheD2PAKpackagehasthecapabilityofhousingalargerdiethananyexistingsurfacemountpackagewhichallowsittobeusedinapplicationsthatrequiretheuseofsurfacemountcomponentswithh	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MTP4N80	文件：159.11 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET4.0AMPERES800VOLTSRDS(on)=3.0OHM TMOSE-FET™PowerFieldEffectTransistorN-ChannelEnhancement-ModeSiliconGate TMOSPOWERFET4.0AMPERES800VOLTSRDS(on)=3.0OHM ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage–blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Ina	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MTP4N80E	文件：115.01 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelEnhancement-ModeSiliconGate	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI

详细参数

型号：
KF4N80F
制造商：
MORNSUN
制造商全称：
MORNSUN
功能描述：
This planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, low on resistance, low gate charge and excellent avalanche characteristics.

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多KF4N80F供应商更新时间2025-7-25 14:02:00

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