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KF4N60F	文件：390.08 Kbytes Page：6 Pages	N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR General Description This planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, low on resistance, low gate charge and excellent avalanche characteristics. It is mainly suitable for electronic ballast and switching mode power supplies. FEATURES • VDSS= 600V, ID= 4A • Dra 文件：390.08 Kbytes 页数：6 Pages	KECKEC(Korea Electronics) 开益禧无锡开益禧半导体有限公司	KEC
KF4N60F_15	文件：390.08 Kbytes Page：6 Pages	N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR 文件：390.08 Kbytes 页数：6 Pages	KECKEC(Korea Electronics) 开益禧无锡开益禧半导体有限公司	KEC
KF4N60F	文件：300 bytes Page：1 Pages	Planar MOSFETs, TO-220IS(1), 600V, 4A • Fast switching time\n• Suitable for using switching mode power supplies.;	KEC 开益禧	KEC
KF4N60I	文件：393.15 Kbytes Page：6 Pages	N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR General Description This planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, low on resistance, low gate charge and excellent avalanche characteristics. It is mainly suitable for electronic ballast and switching mode power supplies. FEATURES • VDSS= 600V, ID= 3.2A • D 文件：393.15 Kbytes 页数：6 Pages	KECKEC(Korea Electronics) 开益禧无锡开益禧半导体有限公司	KEC
KSM4N60	文件：1.61726 Mbytes Page：6 Pages	600V N-Channel MOSFET 文件：1.61726 Mbytes 页数：6 Pages	KERSEMI	KERSEMI
KSMB4N60	文件：722.84 Kbytes Page：4 Pages	Green device available. 文件：722.84 Kbytes 页数：4 Pages	KERSEMI	KERSEMI

技术参数

AEC-Q：
N
Package：
TO-220IS(1)
Polarity：
N
BVDSS [V]：
600
ID [A]：
4
PD [W]：
37.9
RDS(ON) @10V[Ω]：
2.5
Qg [nC]：
10
Vth_Min[V]：
2.5
Vth_MAX[V]：
4.5
Ciss[pF]：
480
ESD DIODE：
N

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更多KF4N60F供应商更新时间2026-1-27 18:29:00

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