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KF1N60I	文件：346.28 Kbytes Page：1 Pages	DPAK(1)PACKAGE GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforswitchingmodepowersupplies. FEATURES •VDSS=600V,ID=1A •RDS(ON)=10Ω(Max)@VGS=1	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KF1N60I	文件：614.39 Kbytes Page：6 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforswitchingmodepowersupplies. FEATURES •VDSS=600V,ID=1A •RDS(ON)=10Ω(Max)@VGS=1	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KF1N60I	文件：923.42 Kbytes Page：6 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforswitchingmodepowersupplies. FEATURES •VDSS=600V,ID=1A •RDS(ON)=10Ω(Max)@VGS=1	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KF1N60L	文件：882.3 Kbytes Page：7 Pages	ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics. GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforswitchingmodepowersupplies. FEATURES •VDSS=600V,ID=0.5A •RDS(ON)=10Ω(Max)@VGS=	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KI1N60	文件：294.84 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
KI1N60DS	文件：1.09478 Mbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFET	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
KSMD1N60	文件：724.36 Kbytes Page：4 Pages	Excellentpackageforgoodheatdissipation.	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
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KSMU1N60	文件：721.96 Kbytes Page：4 Pages	Excellentpackageforgoodheatdissipation.	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSMU1N60C	文件：2.10531 Mbytes Page：8 Pages	600VN-ChannelMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KX1N60DS	文件：1.85527 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
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L1N60Z	文件：113.29 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MDZ1N60UMH	文件：302.34 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET600V,0.4A	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
MIP1N60	文件：1.03324 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
MIP1N60E	文件：1.03324 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
MO1N60	文件：1.08604 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
MSU1N60	文件：432.11 Kbytes Page：4 Pages	600VN-ChannelMOSFET	BWTECH Bruckewell Technology LTD	BWTECH
MTA1N60E	文件：854.58 Kbytes Page：13 Pages	FULLYISOLATEDTMOSE-FETPOWERFIELDEFFECTTRANSISTOR	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MTD1N60E	文件：266.59 Kbytes Page：10 Pages	TMOSPOWERFET1.0AMPERE600VOLTSRDS(on)=8.0OHM TMOSE-FET™PowerFieldEffectTransistor DPAKforSurfaceMount N-ChannelEnhancement-ModeSiliconGate ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage–blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.InadditionthisadvancedTMOSE	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市河锋鑫科技有限公司	KF1N60DR	KEC	SOT252	22+	6000	十年配单,只做原装	询价
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更多KF1N60DIC供应商更新时间2024-9-25 14:01:00

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