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KDV273E	文件：63.12 Kbytes Page：2 Pages	VARIABLE CAPACITANCE DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE(VCO FOR UHF/VHF BAND) VCO FOR UHF/VHF BAND. FEATURES • High Capacitance Ratio : C1V/C4V =2.0(Typ.) • Low Series Resistance : rs=0.39Ω (Typ.) 文件：63.12 Kbytes 页数：2 Pages	KEC KEC(Korea Electronics)	KEC
KDV273E	文件：49.76 Kbytes Page：1 Pages	ESC PACKAGE Marking method Laser Marking 文件：49.76 Kbytes 页数：1 Pages	KEC KEC(Korea Electronics)	KEC
KDV273E	文件：210.1 Kbytes Page：2 Pages	SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE 文件：210.1 Kbytes 页数：2 Pages	KEC KEC(Korea Electronics)	KEC
KDV273E_02	文件：49.76 Kbytes Page：1 Pages	ESC PACKAGE Marking method Laser Marking 文件：49.76 Kbytes 页数：1 Pages	KEC KEC(Korea Electronics)	KEC
KDV273E_08	文件：210.1 Kbytes Page：2 Pages	SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE 文件：210.1 Kbytes 页数：2 Pages	KEC KEC(Korea Electronics)	KEC
KDV273E_15	文件：531.84 Kbytes Page：2 Pages	SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE 文件：531.84 Kbytes 页数：2 Pages	KEC KEC(Korea Electronics)	KEC

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