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KDV245E	文件：383.62 Kbytes Page：2 Pages	VARIABLE CAPACITANCE DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE(VCO FOR UHF BAND RADIO) VCOFORUHFBandRadio. FEATURES ●HighCapacitanceRatio:C0.5V/C2.5V=2.5(Typ.) ●LowSeriesResistance:rs=0.35(Typ.) ●UsefulforSmallSizeTuner.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KEWTN-245	文件：130.75 Kbytes Page：4 Pages	Plug-inSignalConditionersK-UNIT	MSYSTEMM-System Co.,Ltd. 爱模爱模系统有限公司	MSYSTEM
KEWTN-245/Q	文件：130.75 Kbytes Page：4 Pages	Plug-inSignalConditionersK-UNIT	MSYSTEMM-System Co.,Ltd. 爱模爱模系统有限公司	MSYSTEM
KEWTN-245SLASHQ	文件：130.75 Kbytes Page：4 Pages	Plug-inSignalConditionersK-UNIT	MSYSTEMM-System Co.,Ltd. 爱模爱模系统有限公司	MSYSTEM
KEWTN-245W	文件：130.75 Kbytes Page：4 Pages	Plug-inSignalConditionersK-UNIT	MSYSTEMM-System Co.,Ltd. 爱模爱模系统有限公司	MSYSTEM
KEWTN-245W/Q	文件：130.75 Kbytes Page：4 Pages	Plug-inSignalConditionersK-UNIT	MSYSTEMM-System Co.,Ltd. 爱模爱模系统有限公司	MSYSTEM
KEWTN-245WSLASHQ	文件：130.75 Kbytes Page：4 Pages	Plug-inSignalConditionersK-UNIT	MSYSTEMM-System Co.,Ltd. 爱模爱模系统有限公司	MSYSTEM
KRC245M	文件：727.08 Kbytes Page：5 Pages	EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR(HIGHCURRENTSWITCHING,INTERFACECIRCUITANDDRIVERCIRCUIT) HIGHCURRENTSWITCHINGAPPLICATION. INTERFACECIRCUITANDDRIVERCIRCUITAPPLICATION. FEATURES WithBuilt-inBiasResistors. SimplifyCircuitDesign. ReduceaQuantityofPartsandManufacturingProcess. HighOutputCurrent:800mA.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KRC245S	文件：748.2 Kbytes Page：5 Pages	EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR(HIGHCURRENTSWITCHING,INTERFACECIRCUITANDDRIVERCIRCUIT) HIGHCURRENTSWITCHINGAPPLICATION. INTERFACECIRCUITANDDRIVERCIRCUITAPPLICATION. FEATURES WithBuilt-inBiasResistors. SimplifyCircuitDesign. ReduceaQuantityofPartsandManufacturingProcess. HighOutputCurrent:800mA.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
L-245	文件：67.44 Kbytes Page：2 Pages	CommonModeInductors	RHOMBUS-IND Rhombus Industries Inc.	RHOMBUS-IND

详细参数

型号：
KDV245E
制造商：
KEC
制造商全称：
KEC(Korea Electronics)
功能描述：
VARIABLE CAPACITANCE DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE(VCO FOR UHF BAND RADIO)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多KDV245E供应商更新时间2025-5-17 9:02:00

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