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KDS193

SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE (ULTRA HIGH SPEED SWITCHING)

ULTRA HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION. FEATURES • Small Package : SOT-23. • Low Forward Voltag : VF=0.9V(Typ.). • Fast Reverse Recovery Time : trr=1.6ns(Typ.). • Small Total Capacitance : CT=0.9pF(Typ.). • Suffix U : Qualified to AEC-Q101. ex) KDS193-RTK/HU

文件:104.5 Kbytes 页数:1 Pages

KECKEC(Korea Electronics)

开益禧无锡开益禧半导体有限公司

KDS193

SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE

文件:365.33 Kbytes 页数:2 Pages

KECKEC(Korea Electronics)

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KDS193

Small Signal Switching Diode, SOT-23, 80V, 300mA

• Low Forward Voltage : VF=0.9V (typ.)\n• Fast Reverse Recovery Time : trr=1.6nS(typ.)\n• Small Total Capacitance : CT=0.9pF (typ.)\n• Small Package : SOT-23.;

KEC

开益禧

KDS193_12

SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE

文件:365.33 Kbytes 页数:2 Pages

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KDS193_15

SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE

文件:527.07 Kbytes 页数:2 Pages

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技术参数

  • AEC-Q:

    Y

  • Package:

    SOT-23

  • IF[mA]:

    300

  • CT_MAX[㎊]:

    3

  • VF_Max[V]:

    1.2

  • VR[V]:

    80

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多KDS193供应商 更新时间2026-4-19 9:03:00