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KDS160E

SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE

ULTRA HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION. FEATURES ● Small Package : ESC. ● Low Forward Voltage. ● Fast Reverse Recovery Time. ● Small Total capacitance.

文件:88.28 Kbytes 页数:2 Pages

KECKEC(Korea Electronics)

开益禧无锡开益禧半导体有限公司

KDS160E

High Spped Switching Diode

FEATURES ● Extremely small surface mounting type. ● Small package. ● High speed and high reliability APPLICATIONS ● High speed switching.

文件:1.64638 Mbytes 页数:3 Pages

SKTECHNOLGYSHIKE Electronics

时科广东时科微实业有限公司

KDS160E

ESC PACKAGE

文件:14.74 Kbytes 页数:1 Pages

KECKEC(Korea Electronics)

开益禧无锡开益禧半导体有限公司

KDS160E

SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE

文件:84.45 Kbytes 页数:2 Pages

KECKEC(Korea Electronics)

开益禧无锡开益禧半导体有限公司

KDS160E_03

SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE

文件:84.45 Kbytes 页数:2 Pages

KECKEC(Korea Electronics)

开益禧无锡开益禧半导体有限公司

KDS160E_05

ESC PACKAGE

文件:14.74 Kbytes 页数:1 Pages

KECKEC(Korea Electronics)

开益禧无锡开益禧半导体有限公司

KDS160E_15

SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE

文件:359.78 Kbytes 页数:2 Pages

KECKEC(Korea Electronics)

开益禧无锡开益禧半导体有限公司

KDS160E

Small Signal Switching Diode, ESC, 80V, 300mA

• Low Forward Voltage\n• Fast Reverse Recovery Time\n• Small Total Capacitance\n• Small Package : ESC.;

KEC

开益禧

技术参数

  • AEC-Q:

    Y

  • Package:

    ESC

  • IF[mA]:

    300

  • CT_MAX[㎊]:

    3

  • VF_Max[V]:

    1.2

  • VR[V]:

    80

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更多KDS160E供应商 更新时间2026-4-8 16:33:00