TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type

Search Part number : TK5A500 -  Correct Part number : TDTK5A50D• Low drain-source ON-resistance: RDS (ON)= 1.3 Ω(typ.)\n\n• High forward transfer admittance: ⎪Yfs⎪= 3.0 S (typ.)\n\n• Low leakage current: IDSS= 10 μA (max) (VDS= 500 V)\n\n• Enhancement mode: Vth= 2.4 to 4.4 V (VDS= 10 V, ID= 1 mA)

Toshiba

东芝

有源晶振

KYX

凯越翔电子

BGA

三星

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FBGA69

Samsung

三星

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BGA

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