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K4G41325FE-HC28	文件：1.97233 Mbytes Page：120 Pages	4Gb GDDR5 SGRAM E-die 8M x 32Bit x 16 Banks Graphic Double Data Rate 5 Synchronous DRAM (170Ball FBGA) 1.FEATURES •1.5V+0.045Vpowersupplyfordeviceoperations(VDD) (Specificpartssupport1.35V+0.0405V) •1.5V+0.045VpowersupplyforI/Ointerface(VDDQ) (Specificpartssupport1.35V+0.0405V) •MaximumCK/CKupto2.25GHz •MaximumWCK/WCKupto4.5GHz •Maximumdatarateupto9	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
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制造商上传企业

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K4G41325FE-HC28

文件：1.97233 Mbytes

Page：120 Pages

4Gb GDDR5 SGRAM E-die 8M x 32Bit x 16 Banks Graphic Double Data Rate 5 Synchronous DRAM (170Ball FBGA)

1.FEATURES •1.5V+0.045Vpowersupplyfordeviceoperations(VDD) (Specificpartssupport1.35V+0.0405V) •1.5V+0.045VpowersupplyforI/Ointerface(VDDQ) (Specificpartssupport1.35V+0.0405V) •MaximumCK/CKupto2.25GHz •MaximumWCK/WCKupto4.5GHz •Maximumdatarateupto9

SamsungSamsung semiconductor

三星三星半导体

Samsung

K4G41325FE-HC28

文件：300 bytes

Page：1 Pages

GDDR5; • Nearly-InstantHD Graphics\n• More PlayUsing Less Power\n;

SamsungSamsung semiconductor

三星三星半导体

Samsung

技术参数

Org.：
128M x 32
Speed：
7.0 Gbps
Refresh：
16K / 32 ms
Package：
170FBGA
Product Status：
Mass Production

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更多K4G41325FE-HC28供应商更新时间2025-7-25 16:13:00

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