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K4F6E3S4HM-MGCJ

四代超低功耗双倍数据率同步动态随机存储器

Samsung

三星

K4F6E3S4HM-MGCJ

BGA

K4F6E3S4HM-MGCJ

BGA

SAMSUNG/三星

K4F6E3S4HM-MGCJ

BGA-200

SAMSUNG(三星半导体)

上传:深圳市高捷芯城科技有限公司

SAMSUNG(三星半导体)

K4F6E3S4HM-MGCJ

BGA200

SAMSUNG/三星

技术参数

  • 架构:

    x32

  • 速率:

    3733 Mbps

  • 工作电压:

    1.8 / 1.1 / 1.1 V

  • 工作温度:

    -25 ~ 85 °C

  • 封装:

    200FBGA

  • 产品状态:

    批量生产

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多K4F6E3S4HM-MGCJ供应商 更新时间2025-11-14 14:01:00