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K4B4G0846E-BMK0

4Gb E-die DDR3L SDRAM

SamsungSamsung semiconductor

三星三星半导体

K4B4G0846E-BMK0

DDR3; • High Speed and Performance\n• Low Power, Efficient DRAM Solution\n;

SamsungSamsung semiconductor

三星三星半导体

技术参数

  • Org.:

    512M x 8

  • Speed:

    1600 Mbps

  • Voltage:

    1.35 V

  • Temp.:

    -40 ~ 95 °C

  • Package:

    78FBGA

  • Product Status:

    Mass Production

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多K4B4G0846E-BMK0供应商 更新时间2025-7-28 11:01:00