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K4B1G1646I-BYK0

DDR3

• High Speed and Performance\n• Low Power, Efficient DRAM Solution\n;

Samsung

三星

K4B1G1646I-BYMA

BGA

SAMSUNG(三星半导体)

上传:深圳市高捷芯城科技有限公司

SAMSUNG(三星半导体)

K4B2G0446C-HCH9

FBGA

SAMSUNG/三星

上传:深圳庞田科技有限公司

SAMSUNG/三星

K4B2G0446Q-BYK0

FBGA

SAMSUNG/三星

上传:深圳庞田科技有限公司

SAMSUNG/三星

K4B2G0846C-HCH9

FBGA

SAMSUNG/三星

上传:深圳庞田科技有限公司

SAMSUNG/三星

技术参数

  • Org.:

    64M x 16

  • Speed:

    1600 Mbps

  • Voltage:

    1.35 V

  • Temp.:

    0 ~ 85 °C

  • Package:

    96FBGA

  • Product Status:

    Mass Production

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
SAMSUNG
存储器
BGA
40211
SAMSUNG存储芯片K4B1G1646I-BYK0即刻询购立享优惠#长期有货
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更多K4B1G1646I-BYK0供应商 更新时间2025-11-16 14:14:00