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K2N7002K	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOS(场效应管)	Kodenshi-AUK	Kodenshi-AUK
ME2N7002DW	文件：1.01276 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET 文件：1.01276 Mbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
ME2N7002KW	文件：1.01275 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET 文件：1.01275 Mbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
ME2N7002W	文件：1.01271 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET 文件：1.01271 Mbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

技术参数

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：
300mA
栅源极阈值电压：
2.5V @ 250uA
漏源导通电阻：
3Ω @ 500mA
最大功率耗散（Ta=25°C）：
350mW
类型：
N沟道

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多K2N7002K供应商更新时间2025-10-30 15:01:00

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