TK12E80W芯片代码丝印对应型号-114ic电子网

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K12E80W	文件：419.22 Kbytes Page：10 Pages	型号：TK12E80W；Package：TO-220；MOSFETs Silicon N-Channel MOS Applications • Switching Voltage Regulators Features (1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.38 Ω (typ.) by using Super Junction Structure : DTMOS (2) Easy to control Gate switching (3) Enhancement mode: Vth = 3.0 to 4.0 V(VDS = 10 V, ID = 0.57 mA) 文件：419.22 Kbytes 页数：10 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA

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更多K12E80W供应商更新时间2025-8-7 16:49:00