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K06	文件：108.6 Kbytes Page：4 Pages	型号：EM6K6；Package：EMT6；1.8V Drive NchNch MOSFET	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
K06	文件：87.2 Kbytes Page：4 Pages	型号：EM6K6；Package：EMT6；1.8V Drive NchNch MOSFET	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
K065V65X2	文件：880.04 Kbytes Page：9 Pages	型号：AOK065V65X2；Package：TO-247-3L；650V αSiC Silicon Carbide Power MOSFET Features •ProprietaryαSiCMOSFETtechnology •Lowloss,fastswitchingspeedswithlowRG •Optimizeddrivevoltage(VGS=15V) forbroaddrivercompatibility •RobustbodydiodeandlowQrr Applications •Renewable•Industrial •EVCharger•UPS •SolarInverters	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
K063N60Z1	文件：620.31 Kbytes Page：9 Pages	型号：TK063N60Z1；Package：TO-247；MOSFETs Silicon N-Channel MOS Applications •SwitchingPowerSupplies Features (1)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=0.053Ω(typ.) (2)High-speedswitchingpropertieswithlowercapacitance. (3)Enhancementmode:Vth=3to4V(VDS=10V,ID=1.47mA)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
K063Z60Z1	文件：644.14 Kbytes Page：10 Pages	型号：TK063Z60Z1；Package：TO-247-4L；MOSFETs Silicon N-Channel MOS Applications •SwitchingPowerSupplies Features (1)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=0.053Ω(typ.) (2)High-speedswitchingpropertieswiththelowercapacitance. (3)Enhancementmode:Vth=3to4V(VDS=10V,ID=1.47mA)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
K065N65Z	文件：414.12 Kbytes Page：10 Pages	型号：TK065N65Z；Package：TO-247；MOSFETs Silicon N-Channel MOS Applications •SwitchingPowerSupplies Features (1)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=0.054Ω(typ.) (2)High-speedswitchingpropertieswithlowercapacitance. (3)Enhancementmode:Vth=3to4V(VDS=10V,ID=1.69mA)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
K065U65Z	文件：492.89 Kbytes Page：10 Pages	型号：TK065U65Z；Package：TOLL；MOSFETs Silicon N-Channel MOS Applications •SwitchingPowerSupplies Features (1)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=0.051Ω(typ.) (2)High-speedswitchingpropertieswithlowercapacitance. (3)Enhancementmode:Vth=3to4V(VDS=10V,ID=1.69mA)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
K065Z65Z	文件：413.84 Kbytes Page：10 Pages	型号：TK065Z65Z；Package：TO-247-4L；MOSFETs Silicon N-Channel MOS Applications •SwitchingPowerSupplies Features (1)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=0.054Ω(typ.) (2)High-speedswitchingpropertieswithlowercapacitance. (3)Enhancementmode:Vth=3to4V(VDS=10V,ID=1.69mA)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
K068N65Z5	文件：499.2 Kbytes Page：10 Pages	型号：TK068N65Z5；Package：TO-247；MOSFETs Silicon N-Channel MOS Applications •SwitchingVoltageRegulators Features (1)Fastreverserecoverytime:trr=135ns(typ.) (2)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=0.052Ω(typ.) (3)High-speedswitchingpropertieswiththelowercapacitance. (4)Enhancementmode:Vth=3.5to4.5V(VDS=10V,ID=1.6	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
K068U65Z5	文件：510.66 Kbytes Page：10 Pages	型号：TK068U65Z5；Package：TOLL；MOSFETs Silicon N-Channel MOS Applications •SwitchingVoltageRegulators Features (1)Fastreverserecoverytime:trr=135ns(typ.) (2)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=0.052Ω(typ.) (3)High-speedswitchingpropertieswiththelowercapacitance. (4)Enhancementmode:Vth=3.5to4.5V(VDS=10V,ID=1.6	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

详细参数

型号：
K06
制造商：
ROHM
制造商全称：
Rohm
功能描述：
1.8V Drive Nch+Nch MOSFET

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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