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JS65R380SU	文件：300 bytes Page：1 Pages	场效应晶体管/MOSFET-超结MOS	JSMC 华微电子	JSMC
MMD65R380QRH	文件：2.85431 Mbytes Page：10 Pages	650V 0.38ohm N-channel MOSFET 文件：2.85431 Mbytes 页数：10 Pages	MGCHIP	MGCHIP
MMD65R380QRH	文件：353.67 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 10.6A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 650V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.38Ω(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC 文件：353.67 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
MMF65R380Q	文件：1.26024 Mbytes Page：10 Pages	650V 0.38ohm N-channel MOSFET 文件：1.26024 Mbytes 页数：10 Pages	MGCHIP	MGCHIP

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