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JS12U1GD50-3

丝印:12A;Package:DFN2020-3;1-Line High Power TVS Diode

Features 5400W peak pulse power (8/20 Low leakage: nA level Low operating voltage: 12V Ultra low clamping voltage One power line protects Complies with following standards: – IEC 61000-4-2 (ESD) immunity test Air discharge: ±30kV Contact discharge: ±30kV – IEC61000-4-4 (EFT) 80A (5/50ns)

文件:1.79324 Mbytes 页数:4 Pages

LEIDITECH

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JS12U1GD50-3

瞬态抑制二极管

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JS28F00AM29EWH

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技术参数

  • LINECONFIG.:

    1-Line-Uni

  • VRWM (V):

    12.0

  • VBR MIN(V):

    13.0

  • C_LtoG(pF)@0V:

    550.0

  • VC@IPP:

    27.0

  • IPPMAX(A):

    200.0

  • IRMAX (μA):

    1.00

  • PPP(W):

    5500

  • ESD(Con):

    ±30

  • ESD(Air):

    ±30

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更多JS12U1GD50-3供应商 更新时间2025-10-12 8:31:00