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CEB170N10S	文件：516.76 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEF170N10S	文件：516.76 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEP170N10S	文件：516.76 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
FIR170N10PG	文件：3.11699 Mbytes Page：4 Pages	100VN-ChannelPowerMosfet	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半导体深圳市福斯特半导体有限公司	FOSTER
FIR170N10RG	文件：2.24483 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半导体深圳市福斯特半导体有限公司	FOSTER
IXFH170N10P	文件：146.64 Kbytes Page：5 Pages	PolarHiperFETPowerMOSFET Polar™HiperFET™PowerMOSFET N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated FastIntrinsicRectifier Features •InternationalStandardPackages •FastIntrinsicRectifier •AvalancheRated •LowRDS(ON)andQG •LowPackageInductance Advantages •HighPowerDensity •EasytoMount •Spac	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFH170N10P	文件：374.64 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFK170N10	文件：145.06 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETPowerMOSFET HiPerFET™PowerMOSFET SingleMOSFETDie Features •Internationalstandardpackages •EncapsulatingepoxymeetsUL94V-0,flammabilityclassification •miniBLOCwithAluminiumnitrideisolation •LowRDS(on)HDMOSTMprocess •Ruggedpolysilicongatecellstructure •UnclampedInductiveSwi	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFK170N10P	文件：146.64 Kbytes Page：5 Pages	PolarHiperFETPowerMOSFET Polar™HiperFET™PowerMOSFET N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated FastIntrinsicRectifier Features •InternationalStandardPackages •FastIntrinsicRectifier •AvalancheRated •LowRDS(ON)andQG •LowPackageInductance Advantages •HighPowerDensity •EasytoMount •Spac	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFN170N10	文件：145.06 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETPowerMOSFET HiPerFET™PowerMOSFET SingleMOSFETDie Features •Internationalstandardpackages •EncapsulatingepoxymeetsUL94V-0,flammabilityclassification •miniBLOCwithAluminiumnitrideisolation •LowRDS(on)HDMOSTMprocess •Ruggedpolysilicongatecellstructure •UnclampedInductiveSwi	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXTK170N10P	文件：170.28 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXTK170N10P	文件：310.87 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXTQ170N10P	文件：170.28 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXTT170N10P	文件：170.28 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXTT170N10P	文件：170.28 Kbytes Page：5 Pages	PolarTMPowerMOSFET	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市共奕科技有限公司	JMTK170N10A	JJW/捷捷微	1年内	TO-252-3L	100000	类别:Trench MOSFETs;可替代英飞凌型号:IRL540N;	询价
深圳市星辰微电科技有限公司	JMTK170N10A	捷捷微	23+	TO-252-3L	68000	捷捷微全系列供应,支持终端生产	询价
深圳市祥瑞智科技有限公司	JMTK2006A	JJW捷捷微	22+	TO-252	177410	原厂原装,价格优势!13246658303	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	JMTK2006A	捷捷微		TO-252	13000	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
深圳市华芯购电子有限公司	JMTK2006A	JJW	22+	TO-252	18501		询价
深圳市众芯源半导体有限公司	JMTK2006A	JJW	22+	TO-252	10000	原装正品,渠道现货	询价
深圳市粤科源兴科技有限公司	JMTK2006A	JJW	2221	TO-252	149910	原装现货实单支持	询价
深圳市瑞卓芯科技有限公司	JMTK2006A	JJW/捷捷微	22+	TO-252	147410	原装正品	询价
深圳市宇集芯电子有限公司	JMTK2006A	JJW	24+	TO-252	10000	原装正品	询价
深圳市川蓝电子科技有限公司	JMTK2006A	JJW	2221	TO-252	149910	原包装原标现货,假一罚十,	询价

更多JMTK170N10A供应商更新时间2024-6-19 10:02:00

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