首页 >JMTJ3400A>规格书列表
零件编号 | 下载 订购 | 功能描述/丝印 | 制造商 上传企业 | LOGO |
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JJW | ||||
N-Channel30-V(D-S)MOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司 | VBSEMI | ||
FASTTURN-OFFTHYRISTORS | LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司 | LUGUANG | ||
ShieldedSurfaceMountInductors | MuRataMurata Manufacturing Co., Ltd. 村田村田制作所 | MuRata | ||
ShieldedSurfaceMountInductors | MuRataMurata Manufacturing Co., Ltd. 村田村田制作所 | MuRata | ||
N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor ■Features ●VDS(V)=30V ●ID=5.8A(VGS=10V) ●RDS(ON)28m(VGS=10V) ●RDS(ON)33m(VGS=4.5V) ●RDS(ON)52m(VGS=2.5V) | KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司 | KEXIN | ||
AdvancedhighcelldenitytrenchtechnologyforultraRDS(ON) | KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd. | KERSEMI | ||
EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR(DIFFERENTIALAMP.) DIFFERENTIALAMP.APPLICATION. FEATURES •MatchedPairsforDifferentialAmplifiers. •HighBreakdownVoltage:VCEO=120V(Min.). •LowNoise:NF=1dB(Typ.),10dB(Max.). •ComplementarytoKTA2400. | KECKEC CORPORATION KEC株式会社 | KEC | ||
DifferentialAmplifierApplication Features ●MatchedPraisforDifferentialAmplifier. ●HighBreakdownVoltage:Vceo=120V(Min) ●ComplementarytoKTA2400. | TGS Tiger Electronic Co.,Ltd | TGS | ||
NoiseFilters | NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社 | NEC |
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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