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MDFS13N50G	文件：1.13178 Mbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET500V,13.0A,0.5(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDFS13N50GTH	文件：1.13178 Mbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET500V,13.0A,0.5(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDFS13N50GTH	文件：322.15 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=12A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=650V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.65Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MDP13N50	文件：851.29 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET500V,13.0A,0.5(ohm) GeneralDescription TheMDP13N50usesadvancedMagnachip’sMOSFETTechnology,whichprovideslowonstateresistance,highswitchingperformanceandexcellentquality.MDP13N50issuitabledeviceforSMPS,HIDandgeneralpurposeapplications. Features ■VDS=500V ■ID=13.0A@VGS=10V ■R	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDP13N50B	文件：1.2155 Mbytes Page：8 Pages	N-ChannelMOSFET500V,13.0A,0.5(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDP13N50BTH	文件：1.2155 Mbytes Page：8 Pages	N-ChannelMOSFET500V,13.0A,0.5(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDP13N50BTH	文件：332.1 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=13A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.5Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MDP13N50G	文件：1.50636 Mbytes Page：8 Pages	N-ChannelMOSFET500V,13.0A,0.5(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司	JCS13N50CH	HUAWEI	25+	TO-TO-220F	12300	独立分销商公司只做原装诚心经营免费试样正品保证	询价
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