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PJP13N50	文件：201.49 Kbytes Page：5 Pages	500VN-ChannelEnhancementModeMOSFET FEATURES •13A,500V,RDS(ON)=0.52Ω@VGS=10V,ID=6.5A •LowONResistance •FastSwitching •LowGateCharge •FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent •SpeciallyDesigenedforACAdapter,BatteryChargeandSMPS •IncompliancewithEURoHs2002/95/ECDirectives	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT

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PJP13N50

文件：201.49 Kbytes

Page：5 Pages

500VN-ChannelEnhancementModeMOSFET

FEATURES •13A,500V,RDS(ON)=0.52Ω@VGS=10V,ID=6.5A •LowONResistance •FastSwitching •LowGateCharge •FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent •SpeciallyDesigenedforACAdapter,BatteryChargeandSMPS •IncompliancewithEURoHs2002/95/ECDirectives

PANJITPan Jit International Inc.

強茂強茂股份有限公司

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