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JCS10N65ST

场效应晶体管/MOSFET-600V-700V系列

JSMC

华微电子

JCS10N65T

N-CHANNEL MOSFET

文件:1.05698 Mbytes 页数:10 Pages

JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

华微电子吉林华微电子股份有限公司

KSM10N65

Advanced high cell denity trench technology for ultra RDS(ON)

文件:692.55 Kbytes 页数:4 Pages

KERSEMI

KSMB10N65

Green device available.

文件:699.39 Kbytes 页数:4 Pages

KERSEMI

技术参数

  • ID@25℃(A):

    9.5

  • ID@100℃(A):

    6

  • PD(W):

    178

  • BVdss(V):

    650

  • Rds(on)(Ω):

    0.95

  • Package:

    TO-263

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
SINO-MICRO
2022+
TO-263
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更多JCS10N65ST供应商 更新时间2025-11-23 14:02:00