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JANTXV2N5666U3

NPN Silicon Power Switching 200V to 300V, 5A

This specification covers the performance requirements for NPN, silicon, power, 2N5664, 2N5665, 2N5666 and 2N5667 transistors for use in high-speed power-switching applications. Four levels of product assurance (JAN, JANTX, JANTXV and JANS) are provided for each encapsulated device type as specified The device package for the encapsulated device types are as follows: TO-66, TO-5 and TO-39, and surface mount version U3. The dimensions and topography for JANHC and JANKC unencapsulated die are as outlined in MIL-PRF-19500/455.;

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微芯科技

JANTXV2N5666U3

NPN POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR

文件:118.92 Kbytes 页数:3 Pages

Microsemi

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JANTXV2N5666U3

Package:3-SMD,扁平引线;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 200V 5A U3

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2N5666U3

NPN POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR

文件:118.92 Kbytes 页数:3 Pages

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JAN2N5666U3

NPN POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR

文件:118.92 Kbytes 页数:3 Pages

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JANS2N5666U3

NPN POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR

文件:118.92 Kbytes 页数:3 Pages

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产品属性

  • 产品编号:

    JANTXV2N5666U3

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 系列:

    Military, MIL-PRF-19500/455

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1V @ 1A,5A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    200nA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    40 @ 1A,5V

  • 工作温度:

    -65°C ~ 200°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    3-SMD,扁平引线

  • 供应商器件封装:

    U3

  • 描述:

    TRANS NPN 200V 5A U3

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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原装正品
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Microsemi Corporation
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全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销
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更多JANTXV2N5666U3供应商 更新时间2025-11-24 9:03:00