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JANTXV2N3716

NPN Silicon High-Power 60V to 80V, 10A

This specification covers the performance requirements for NPN, silicon, high-power 2N3715 and 2N3716 transistors. Four levels of product assurance (JAN, JANTX, JANTXV and JANS) are provided for each device type as specified in MIL-PRF-19500/408. The device package outline is a TO–204AA (formerly TO–3).;

Microchip

微芯科技

JANTXV2N3716

DIODE

MACOM

JANTXV2N3716

NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR

文件:64.18 Kbytes 页数:2 Pages

MICROSEMI

美高森美

JANTXV2N3716

Package:TO-204AA,TO-3;包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 80V 0.001A TO3

MICROCHIP

微芯科技

JANTXV2N3716

Package:TO-204AA,TO-3;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 80V 10A TO3

MACOM Technology Solutions

MACOM Technology Solutions

JANTXV2N3716P

Package:TO-204AA,TO-3;包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:POWER BJT

MICROCHIP

微芯科技

产品属性

  • 产品编号:

    JANTXV2N3716

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 系列:

    Military, MIL-PRF-19500/408

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    2.5V @ 2A,10A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    1mA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    50 @ 1A,2V

  • 工作温度:

    -65°C ~ 200°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-204AA,TO-3

  • 供应商器件封装:

    TO-3

  • 描述:

    TRANS NPN 80V 0.001A TO3

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多JANTXV2N3716供应商 更新时间2026-2-8 15:30:00