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JANSR2N7519U3

抗辐射 MOSFET

P 通道 MOSFET JANSR2N7519U3 是单个抗辐射元件,额定电压为 -60V,容量为 -20A。其 TO-257AA 低欧姆封装具有高达 100krad(Si) TID 和 QPL 资格的电气性能,使其成为空间应用的理想选择。R5 MOSFET 具有低 RDS(on) 和功率损耗,非常适合空间电源系统中的 DC-DC 转换器和电机驱动器。

Infineon

英飞凌

JANTX-1N3595

MICROSEMI/美高森美
DO-35

MICROSEMI/美高森美

上传:深圳市瑞祥辉半导体有限公司

MICROSEMI/美高森美

JANTX-1N3595

MICROSEMI
SSOP

Microsemi

美高森美

上传:深圳市莱克讯科技有限公司

JANTX2N7225

IR
TO-3P

JANTXV2N7225

IR
TO-254

技术参数

  • ID (@100°C) max:

    -18 A

  • ID (@25°C) max:

    -22 A

  • QG:

    45 nC

  • QPL Part Number:

    2N7519U3

  • RDS (on)(@25°C) max:

    70 mΩ

  • TIDmax:

    100 Krad(Si)

  • VBRDSS:

    -30 V

  • VFmax:

    -5 V

  • Product Category:

    Rad hard MOSFETS

  • Optional TID Rating(kRad(si)):

    100 300

  • Package:

    SMD-0.5

  • Polarity:

    P

  • Generation:

    R5

  • Voltage Class:

    100 V

  • Die Size:

    3

  • Qualification:

    DLA

  • Language:

    SPICE

  • Configuration:

    Discrete

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
INFINEON
23+
8000
只做原装现货
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INFINEON
23+
7000
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IR
22+
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终端可免费供样,支持BOM配单
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一级代理商进口原装现货、价格合理
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更多JANSR2N7519U3供应商 更新时间2025-10-9 15:01:00