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JANSR2N7463T2	文件：300 bytes Page：1 Pages	抗辐射 MOSFET JANSR2N7463T2 是一款高性能抗辐射 N 沟道 MOSFET，额定电压为 400V，电流为 3A。IR HiRel HEXFET 技术可确保卫星应用的可靠性和经过验证的性能。低 RDS(on) 和栅极电荷可降低开关应用中的功率损耗。凭借高达 100krad(Si) TID 电气性能和 QPL 分类，它是空间应用的理想选择。	Infineon 英飞凌	Infineon
JANTX-1N3595	文件：0 bytes Page：0 Pages	DO-35	MICROSEMI/美高森美上传：深圳市瑞祥辉半导体有限公司	MICROSEMI/美高森美
JANTX-1N3595	文件：0 bytes Page：0 Pages	SSOP	MICROSEMI 美高森美上传：深圳市莱克讯科技有限公司	MICROSEMI
JANTX2N7225	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-3P	IR 国际整流器上传：深圳市东来宝电子科技有限公司	IR
JANTXV2N7225	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-254	IR 国际整流器上传：深圳市亿鸿丰电子科技有限公司	IR

技术参数

ID (@100°C) max：
1.9 A
ID (@25°C) max：
3 A
QG：
31 nC
QPL Part Number：
2N7463T2
RDS (on)(@25°C) max：
1200 mΩ
SEE：
Yes
TIDmax：
100 Krad(Si)
VBRDSS：
400 V
VFmax：
1.4 V
Product Category：
Rad hard MOSFETS
Optional TID Rating(kRad(si))：
100
Package：
TO-205AF
Polarity：
N
Generation：
R4
Voltage Class：
100 V
Die Size：
3
Qualification：
DLA
Language：
SPICE
Configuration：
Discrete

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