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JANSR2N7431U	文件：300 bytes Page：1 Pages	抗辐射 MOSFET N 沟道 MOSFET JANSR2N7431U 是采用 SMD-2 封装的抗辐射设备，额定电压为 60V，额定电流为 56A。这款符合 QPL 标准的 R4 器件提供高达 100krad(Si) TID 的电气性能，具有低 RDS(on) 和栅极电荷，可降低开关应用中的功率损耗。它还提供电压控制、快速切换和温度稳定性——非常适合空间应用。	Infineon 英飞凌	Infineon
JANTX-1N3595	文件：0 bytes Page：0 Pages	DO-35	MICROSEMI/美高森美上传：深圳市瑞祥辉半导体有限公司	MICROSEMI/美高森美
JANTX-1N3595	文件：0 bytes Page：0 Pages	SSOP	MICROSEMI 美高森美上传：深圳市莱克讯科技有限公司	MICROSEMI
JANTX2N7225	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-3P	IR 国际整流器上传：深圳市东来宝电子科技有限公司	IR
JANTXV2N7225	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-254	IR 国际整流器上传：深圳市亿鸿丰电子科技有限公司	IR

技术参数

ID (@100°C) max：
56 A
ID (@25°C) max：
75 A
QG：
270 nC
QPL Part Number：
2N7431U
RDS (on)(@25°C) max：
15 mΩ
TIDmax：
100 Krad(Si)
VBRDSS：
60 V
VFmax：
1.5 V
Product Category：
Rad hard MOSFETS
Optional TID Rating(kRad(si))：
100 300 500
Package：
SMD-2
Polarity：
N
Generation：
R4
Voltage Class：
100 V
Die Size：
6
Qualification：
DLA
Language：
SPICE
Configuration：
Discrete

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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