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JANSF2N7503U8	文件：300 bytes Page：1 Pages	抗辐射 MOSFET R5 技术是这款 100V、6.9A、单辐射硬 N 沟道 MOSFET 的基础，采用 SMD-0.2带陶瓷盖的包装。其电气性能可处理高达 300krad(Si) TID，并且该设备符合 QPL 认证。JANSF2N7503U8 在 DC-DC 转换器和电机控制等开关应用中具有较低的功率损耗，并且 LET 的有用性能高达 80MeV·cm2/mg。	Infineon 英飞凌	Infineon
JANSR2N7382	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOP	IR 国际整流器上传：深圳市东来宝电子科技有限公司	IR
JANTX-1N3595	文件：0 bytes Page：0 Pages	SSOP	MICROSEMI 美高森美上传：深圳市莱克讯科技有限公司	MICROSEMI
JANTX-1N3595	文件：0 bytes Page：0 Pages	DO-35	MICROSEMI/美高森美上传：深圳市瑞祥辉半导体有限公司	MICROSEMI/美高森美
JANTX2N7225	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-3P	IR 国际整流器上传：深圳市东来宝电子科技有限公司	IR

技术参数

ID (@100°C) max：
4.4 A
ID (@25°C) max：
6.9 A
QG：
15 nC
QPL Part Number：
2N7503U8
RDS (on)(@25°C) max：
220 mΩ
TIDmax：
300 Krad(Si)
VBRDSS：
100 V
VFmax：
1.2 V
Product Category：
Rad hard MOSFETS
Optional TID Rating(kRad(si))：
100 300
Package：
SMD-0.2
Polarity：
N
Generation：
R5
Voltage Class：
100 V
Die Size：
1
Qualification：
DLA
Language：
SPICE
Configuration：
Discrete

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市安富世纪电子有限公司	JANSF2N7503U8	INFINEON	23+		8000	只做原装现货	询价
天津市博通航睿技术有限公司	JANSF2N7503U8	INFINEON	23+		7000		询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	JANSF2N7545U3	IR	22+		6000	终端可免费供样,支持BOM配单	询价
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更多JANSF2N7503U8供应商更新时间2026-2-6 15:01:00

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