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JANSF2N7493T2	文件：300 bytes Page：1 Pages	抗辐射 MOSFET JANSF2N7493T2 R5 MOSFET 采用 TO-205AF 封装，提供单个 100V、11.7A N 沟道器件，非常适合空间应用。这些 MOSFET 的电气性能高达 300krad (Si) TID 和 QPL 分类，能够承受恶劣条件。低 RDS(on) 和栅极电荷可最大限度地减少 DC-DC 转换器和电机控制中的功率损耗，同时保留 MOSFET 的优势。	Infineon 英飞凌	Infineon
JANSR2N7382	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOP	IR 国际整流器上传：深圳市东来宝电子科技有限公司	IR
JANTX-1N3595	文件：0 bytes Page：0 Pages	SSOP	MICROSEMI 美高森美上传：深圳市莱克讯科技有限公司	MICROSEMI
JANTX-1N3595	文件：0 bytes Page：0 Pages	DO-35	MICROSEMI/美高森美上传：深圳市瑞祥辉半导体有限公司	MICROSEMI/美高森美
JANTX2N7225	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-3P	IR 国际整流器上传：深圳市东来宝电子科技有限公司	IR

技术参数

ID (@100°C) max：
7.4 A
ID (@25°C) max：
11.7 A
QG：
50 nC
QPL Part Number：
2N7493T2
RDS (on)(@25°C) max：
80 mΩ
TIDmax：
300 Krad(Si)
VBRDSS：
100 V
VFmax：
1.2 V
Product Category：
Rad hard MOSFETS
Optional TID Rating(kRad(si))：
100 300 500
Package：
TO-205AF
Polarity：
N
Generation：
R5
Voltage Class：
100 V
Die Size：
3
Qualification：
DLA
Language：
SPICE
Configuration：
Discrete

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市河锋鑫科技有限公司	JANSF2N7493T2	IR	22+		6000	终端可免费供样,支持BOM配单	询价
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更多JANSF2N7493T2供应商更新时间2026-2-2 14:04:00

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